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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
