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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 53nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP105N60EF-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP105N60EF-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1804pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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