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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
输入电容：1390pF@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：8.4nC@4.5V
阈值电压：1.1V@250µA
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
输入电容：1390pF@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：8.4nC@4.5V
阈值电压：1.1V@250µA
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
输入电容：1390pF@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：8.4nC@4.5V
阈值电压：1.1V@250µA
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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