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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2323，"23+"：91736，"24+"：29717，"MI+"：70416}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2323，"23+"：91736，"24+"：29717，"MI+"：70416}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03080
工作温度：150℃
功率：3.1W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03080
工作温度：150℃
功率：3.1W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
