采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
功率：3.2W€40W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
输入电容：1258pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
功率：3.2W€40W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
输入电容：1258pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
功率：3.2W€40W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
输入电容：1258pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
输入电容：1258pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
功率：3.2W€21W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
功率：3.2W€40W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
输入电容：1258pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTWG
输入电容：1258pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
功率：3.2W€21W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
输入电容：1258pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
功率：3.2W€21W
连续漏极电流：6A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF7P20
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
连续漏极电流：5.2A
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：770pF@25V
类型：P沟道
包装方式：管件
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：7500，"10+"：1328，"13+"：16292}
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2SG
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
功率：730mW
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：750pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：770pF@25V
类型：P沟道
功率：2.5W€55W
漏源电压：200V
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000，"08+"：15230，"10+"：47314}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：37500，"04+"：2399，"08+"：4610，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：7500，"10+"：1328，"13+"：16292}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2SG
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：29629，"13+"：93000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8320-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
