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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
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功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
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类型：P沟道
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工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
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类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
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输入电容：1250pF@15V
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导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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