品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":358,"22+":12876,"23+":6227,"24+":14425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU120NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":358,"22+":12876,"23+":6227,"24+":14425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU120NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD024PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: