采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
