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    栅极电荷: 25nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH536DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH536DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:24.7A€67.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订13个装
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订13个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K 起订26个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K 起订26个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G15N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:763pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:37pF@30V

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH536DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH536DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.15nF@15V

    连续漏极电流:24.7A€67.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR36368 起订15000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR36368 起订15000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR36368

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€4.1W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.305nF@15V

    连续漏极电流:23A€32A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4310TRPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:330pF@25V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1.6A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:200mΩ@10V,1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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