品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS004N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€84A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:21A€98A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7292
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€28W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:9A€23A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC160N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@50V
连续漏极电流:8.8A€42A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB4N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€130W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.29mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G23N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: