品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF7T60PL
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:965pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF7N60FD
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:995pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.081nF@400V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R180P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: