采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3902-ZK-E1-AY
功率：1.5W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.562nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.562nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3902-ZK-E1-AY
功率：1.5W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3902-ZK-E1-AY
功率：1.5W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
