品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS004N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€84A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS004N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€84A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP30N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4943}
销售单位:个
规格型号(MPN):NILMS4501NR2
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@6V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@6A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: