品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL20N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL20N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: