采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
