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    栅极电荷: 64nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@17.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AON6512 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6512 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3430pF@15V

    连续漏极电流:54A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8333L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4545pF@20V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4550pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4550pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86520L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2950}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86520L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4550pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:324
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2253}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8333L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4545pF@20V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8333L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4545pF@20V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@17.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@17.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R140CPATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R140CPATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@930µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@14A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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