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    栅极电荷: 64nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H818NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@190µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3844pF@40V

    连续漏极电流:22A€135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7606-55B,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7606-55B,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7606-55B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:254W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N10S3L16ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R1-30YLEX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R1-30YLEX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R1-30YLEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:124W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3749pF@15V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.17mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L08ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L08ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4780pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N10N5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N10N5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.8V@84µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订595个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202ET120 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202ET120 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202ET120

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4585pF@60V

    连续漏极电流:13.5A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N10S3L16ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N10S3L16ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50N10S3L16ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3907pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202ET120 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202ET120 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202ET120

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4585pF@60V

    连续漏极电流:13.5A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H818NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@190µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3844pF@40V

    连续漏极电流:22A€135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@190µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3844pF@40V

    连续漏极电流:22A€135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@190µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3844pF@40V

    连续漏极电流:22A€135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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