采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：16061，"MI+"：720}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW50R140CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW50R140CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR15N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@7.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFT15N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@7.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R140CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@36µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@20V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@20V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6512
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@15V
连续漏极电流：54A€150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：196，"16+"：160，"17+"：4034，"9999"：195}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@20V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8333L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4545pF@20V
连续漏极电流：22A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：196，"16+"：160，"17+"：4034，"9999"：195}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4700pF@12V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6512
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@15V
连续漏极电流：54A€150A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@36µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@20V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
