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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W€3.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：8.05nF@50V
连续漏极电流：23A€225A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
