采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40022E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40022E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40022E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
输入电容：5640pF@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
工作温度：175℃
阈值电压：2.1V@1mA
类型：P沟道
连续漏极电流：60A
功率：960mW€132W
栅极电荷：160nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4700，"13+"：1150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.75nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
