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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.6nF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.355nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.6nF@50V
连续漏极电流：28A
类型：1个P沟道
导通电阻：41mΩ@10V，7.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：12.5A€50A
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
栅极电荷：160nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€8.3W
输入电容：4.7nF@40V
漏源电压：80V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
