品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH170N8F7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP170N8F7
阈值电压:4.5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:8710pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP170N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8710pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: