采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFT16N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC60LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@9.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFT16N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：120nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，9.6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
