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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4665pF@50V

    连续漏极电流:16A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N034ATMA1 起订378个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N034ATMA1 起订378个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3174,"23+":8866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N034ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.8V@78µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4559pF@40V

    连续漏极电流:132A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6215STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6215STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6215STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRLPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRLPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRRPBF 起订594个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRRPBF 起订594个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8311TRPBF 起订861个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8311TRPBF 起订861个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€96W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@10V

    连续漏极电流:32A€169A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8311TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8311TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€96W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4960pF@10V

    连续漏极电流:32A€169A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB095N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272W

    阈值电压:5V@860µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S403ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S403ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5260pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S403ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S403ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":563}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5260pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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