品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":350}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N04S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5260pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30PL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3954pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60R217
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB070AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":25,"21+":950,"22+":200}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA029N06NXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5125pF@30V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@84A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA029N06NXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@75µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5125pF@30V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@84A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3174,"23+":8866}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N034ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.8V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4559pF@40V
连续漏极电流:132A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: