采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
