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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：280mΩ@10V，5.3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
