采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
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栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
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输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
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栅极电荷：124nC@10V
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输入电容：5827pF@20V
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类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4566T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：600W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：7.275nF@20V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
反向传输电容：159F@20V
导通电阻：0.6mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4566T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：600W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：7.275nF@20V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
反向传输电容：159F@20V
导通电阻：0.6mΩ@10V，50A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MOT4566T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：600W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：7.275nF@20V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
反向传输电容：159F@20V
导通电阻：0.6mΩ@10V，50A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4566T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：600W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：7.275nF@20V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
反向传输电容：159F@20V
导通电阻：0.6mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4566T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：600W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：7.275nF@20V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
反向传输电容：159F@20V
导通电阻：0.6mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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