品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4769}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7510-55AL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4769}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7510-55AL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4769}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7510-55AL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6280pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":751}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":751}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":751}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":146}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: