采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：378mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：378mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
