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    栅极电荷: 66nC@4.5V
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订196个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订196个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"2L+":21000,"2M+":66000,"3A+":96000,"3B+":51000,"3C+":45000,"3D+":37509,"3E+":84000,"3F+":57000,"3H+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03C0DPA-00#J53

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    输入电容:11nF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"2L+":21000,"2M+":66000,"3A+":96000,"3B+":51000,"3C+":45000,"3D+":37509,"3E+":84000,"3F+":57000,"3H+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03C0DPA-00#J53

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    输入电容:11nF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"2L+":21000,"2M+":66000,"3A+":96000,"3B+":51000,"3C+":45000,"3D+":37509,"3E+":84000,"3F+":57000,"3H+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03C0DPA-00#J53

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    输入电容:11nF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03C0DPA-00#J53 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"2L+":21000,"2M+":66000,"3A+":96000,"3B+":51000,"3C+":45000,"3D+":37509,"3E+":84000,"3F+":57000,"3H+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03C0DPA-00#J53

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    输入电容:11nF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.862nF@25V

    连续漏极电流:330A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:116pF@25V

    导通电阻:0.65mΩ@10V,50A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订数4000个
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订数4000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    输入电容:2nF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订数4000个
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订数4000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:66nC@4.5V

    导通电阻:14mΩ@10V,30A

    功率:110W

    连续漏极电流:60A

    输入电容:2nF@25V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1V@250μA

    工作温度:-65℃~+175℃

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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