品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
类型:N沟道
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT2142L
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:67A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0412N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€119W
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:67A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT2142L
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
类型:N沟道
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0412N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€119W
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
类型:N沟道
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
类型:N沟道
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€146W
阈值电压:2.2V@200µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@20V
连续漏极电流:45A€277A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@20V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: