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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
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功率：83W
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输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
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类型：N沟道
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输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
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连续漏极电流：74A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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连续漏极电流：74A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
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输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP50P04SDG-E1-AY
栅极电荷：100nC@10V
功率：1.2W€84W
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导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
输入电容：5000pF@10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：175℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP50P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP50P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NP50P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.6mΩ@25A，10V
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