采购热线 400-661-9010
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF42N65M5
栅极电荷：100nC@10V
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
漏源电压：650V
输入电容：4650pF@100V
包装方式：管件
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
