采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@30V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
