首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷
    类型
    包装方式
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    栅极电荷: 100nC@10V
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6047KNZ4C13

    功率:481W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4.3nF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6047KNZ4C13

    功率:481W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4.3nF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订60个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订60个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6047KNZ4C13

    功率:481W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4.3nF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6047KNZ4C13 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6047KNZ4C13

    功率:481W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4.3nF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1 起订数250个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1 起订数250个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4.75nF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA180N04S5N012AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA180N04S5N012AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA180N04S5N012AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.4V@70μA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.158nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:7.35nF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N65M5 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STF42N65M5 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N65M5

    功率:40W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.65nF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:100nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:1.9W

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧