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    栅极电荷: 100nC@10V
    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF4104PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF4104PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF4104PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1 起订68个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1 起订68个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H015G5WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4.8V@2mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5218pF@400V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@60A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP051N15N5AKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP051N15N5AKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP051N15N5AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500mW

    阈值电压:4.6V@264µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5955pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2 起订120个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2 起订120个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6547KNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6547KNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT2142L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT2142L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT2142L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6547KNZ4C13 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6547KNZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0412N-S19-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0412N-S19-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0412N-S19-AY

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€119W

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW42N65M5 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW42N65M5 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW42N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4650pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF4104PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF4104PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF4104PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW42N65M5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW42N65M5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW42N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4650pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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