品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: