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    栅极电荷: 20nC@10V
    阈值电压: 2V@250μA
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G160N04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.01nF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:76pF@20V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G160N04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.01nF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:76pF@20V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订66个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订66个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G160N04K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G160N04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.01nF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:76pF@20V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订300个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订300个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:345pF@25V

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    阈值电压:2V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:345pF@25V

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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