品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:345pF@25V
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
阈值电压:2V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:345pF@25V
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: