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    栅极电荷: 20nC@10V
    漏源电压: 600V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60CL 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60CL 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF380A60CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订425个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订425个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB380A60CL 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB380A60CL 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB380A60CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:131W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF22N60M6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF22N60M6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF22N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF22N60M6 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF22N60M6 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF22N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    功率:30W

    阈值电压:4V@360μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@10V,4.9A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD380A60C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD380A60C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD380A60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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