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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
漏源电压：650V
输入电容：390pF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
