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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，1.9A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，1.9A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，1.9A
漏源电压：400V
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连续漏极电流：4.5A€5.9A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：1V@250μA
输入电容：735pF@10V
漏源电压：20V
功率：960mW€1.7W
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
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销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
功率：2.5W€42W
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