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    栅极电荷: 20nC@10V
    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 工业
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5708DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5708DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:975pF@75V

    连续漏极电流:9.3A€33.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1004

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT3612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:353
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4000,"18+":7000,"22+":720,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:565
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU18N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF720SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF720SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF720SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF720PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF720PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF720PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TR-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TR-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR320TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1365
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1004

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TRL-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TRL-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR320TRL-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:425
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

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