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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4441
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
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栅极电荷：20nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
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规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：AO4441
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：AO4441
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4441
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
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类型：N-Channel
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阈值电压：3V@250µA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
导通电阻：58mΩ
类型：N-Channel
漏源电压：60V
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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