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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
