品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C464NT4G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.215nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10V,15A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.43nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2401
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C464NT4G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
阈值电压:4.9V@50μA
漏源电压:150V
输入电容:800pF@50V
功率:80W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:95mΩ@10V,10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:20A
导通电阻:26mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.43nF@25V
功率:33W
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@10μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:1.2nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
功率:3W€40W
连续漏极电流:59A€16A
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
输入电容:1.215nF@20V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:8.6mΩ@10V,15A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: