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    栅极电荷: 20nC@10V
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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:59A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:59A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订数4500个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订数4500个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.215nF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10V,15A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.43nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:59A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:59A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2401

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C464NT4G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:59A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2214

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    阈值电压:4.9V@50μA

    漏源电压:150V

    输入电容:800pF@50V

    功率:80W

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:95mΩ@10V,10A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.43nF@25V

    功率:33W

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@10μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C464NT4G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:1.2nF@25V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:20nC@10V

    功率:3W€40W

    连续漏极电流:59A€16A

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    输入电容:1.215nF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:70A

    导通电阻:8.6mΩ@10V,15A

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:20nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    功率:74W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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