品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:59nC@10V
输入电容:4.125nF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10V,44A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:59nC@10V
输入电容:4.125nF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10V,44A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:59nC@10V
输入电容:4.125nF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10V,44A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:4.125nF@50V
功率:2.5W€125W
导通电阻:4.2mΩ@10V,44A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:44A€124A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200BNTB
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200BNTB
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R0-40HX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:59nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
功率:172W
输入电容:5.449nF@25V
导通电阻:3mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: