采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L-11
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L-11
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2.2V@85µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
