采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1965，"24+"：2380，"MI+"：1510}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD033N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ188DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ188DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1965，"24+"：2380，"MI+"：1510}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD033N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ188DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ188DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR188DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：25.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR188DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：25.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR188DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：25.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@69A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR188DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：25.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR188DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：25.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
