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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
阈值电压：3.5V@250μA
功率：394W
输入电容：5.75nF@25V
栅极电荷：102nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：147W€1.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.85nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：147W€1.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.85nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
功率：227.2W
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
输入电容：7.102nF@50V
栅极电荷：102nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：174pF@50V
连续漏极电流：120A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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